160В-1 МКФ

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SC3182	NPN Hi-Fi, 140V, 10A, 100W, 30MHz (Comp. 2SA1265N)	TOSHIBA
2SC3182	NPN Hi-Fi, 140V, 10A, 100W, 30MHz (Comp. 2SA1265N)			449.20
2SC3182	NPN Hi-Fi, 140V, 10A, 100W, 30MHz (Comp. 2SA1265N)	TOS
2SD669A	Транзистор NPN 180V, 1.5A, 20W, 140MHz	HITACHI
2SD669A	Транзистор NPN 180V, 1.5A, 20W, 140MHz		39	31.20
2SD669A	Транзистор NPN 180V, 1.5A, 20W, 140MHz	HIT
2SD669A	Транзистор NPN 180V, 1.5A, 20W, 140MHz	KLS
2SD669A	Транзистор NPN 180V, 1.5A, 20W, 140MHz	LGE	2 434	7.44
2SD669A	Транзистор NPN 180V, 1.5A, 20W, 140MHz	SUNTAN
LM358P	Двухканальный операционный усилитель широкого применения	TEXAS INSTRUMENTS	11	26.50
LM358P	Двухканальный операционный усилитель широкого применения	NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM358P	Двухканальный операционный усилитель широкого применения	ST MICROELECTRONICS
LM358P	Двухканальный операционный усилитель широкого применения		560	14.54
LM358P	Двухканальный операционный усилитель широкого применения	TEXAS INSTRUMENTS
LM358P	Двухканальный операционный усилитель широкого применения	TEXAS INSTR
LM358P	Двухканальный операционный усилитель широкого применения	TEXAS INSTRUMEN
LM358P	Двухканальный операционный усилитель широкого применения	TEXAS
КТ603Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN		1 032	61.20
КТ603Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN	МИНСК
КТ603Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN	ПЛАНЕТА	1 222	50.00
КТ603Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN	ВОРОНЕЖ
КТ603Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN	RUS