2SC3679
Биполярный транзистор NPN 900V, 5A, 100W, 6MHz
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
2SC3679 (Универсальные мощные биполярные NPN транзисторы) Silicon Npn Triple Diffused Planar Transistor
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
G30N60A4 |
|
Транзистор IGBT TO-247AC, 600V, 75A, 463W, 8.0 г. | FAIR |
|
|
|
|
|
|
G30N60A4 |
|
Транзистор IGBT TO-247AC, 600V, 75A, 463W, 8.0 г. |
|
835.20 | ||
 |
КД257Д |
|
3А.1000В | НПП ТЭЗ |
|
|
||
|
|
КД257Д |
|
3А.1000В | 679 | 272.32 | |||
|
|
КД257Д |
|
3А.1000В | СЗТП |
|
|
||
|
|
КД257Д |
|
3А.1000В | ТЭЗ | 80 | 226.80 | ||
|
|
КД257Д |
|
3А.1000В | ТОМИЛИНО |
|
|
||
| КЛЕММНИК (222-415) (5ШТ./УП.) | 2 453 | 106.04 | ||||||
| КН102Д | 6 | 70.56 | ||||||
| КН102Д | ТОМИЛИНО |
|
|
|||||
 |
|
КТ315В |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | 166 236 | 5.55 | ||
|
|
|
КТ315В |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | НАЛЬЧИК |
|
|
|
|
|
|
КТ315В |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | КРЕМНИЙ |
|
|
