|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SC3752 |
|
Биполярный транзистор NPN 1100V, 3A, 30W, 15MHz
|
SANYO
|
|
|
|
|
|
2SC3752 |
|
Биполярный транзистор NPN 1100V, 3A, 30W, 15MHz
|
SAN
|
|
|
|
|
|
2SC3752 |
|
Биполярный транзистор NPN 1100V, 3A, 30W, 15MHz
|
|
|
56.36
|
|
|
|
2SC3752 |
|
Биполярный транзистор NPN 1100V, 3A, 30W, 15MHz
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2SC3807 |
|
Биполярный транзистор NPN lo-sat, 30V, 2A, 15W, 260MHz, B>800
|
SANYO
|
|
|
|
|
|
2SC3807 |
|
Биполярный транзистор NPN lo-sat, 30V, 2A, 15W, 260MHz, B>800
|
|
4
|
62.40
|
|
|
|
2SC3807 |
|
Биполярный транзистор NPN lo-sat, 30V, 2A, 15W, 260MHz, B>800
|
SAN
|
|
|
|
|
|
2SC3807 |
|
Биполярный транзистор NPN lo-sat, 30V, 2A, 15W, 260MHz, B>800
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
FSC
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
|
1 200
|
27.42
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
FSC1
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
ON SEMI/FAIRCH
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
ONS
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
IRFP250 |
|
Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFP250 |
|
Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A
|
RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFP250 |
|
Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFP250 |
|
Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A
|
|
|
238.00
|
|
|
|
IRFP250 |
|
Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IRFP250 |
|
Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
IRFP250 |
|
Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRFP250 |
|
Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
LA4461N |
|
Усилитель низкой частоты 12W BTL (13.2V/4 Ом)
|
SANYO
|
8
|
295.80
|
|
|
|
LA4461N |
|
Усилитель низкой частоты 12W BTL (13.2V/4 Ом)
|
|
156
|
90.00
|
|
|
|
LA4461N |
|
Усилитель низкой частоты 12W BTL (13.2V/4 Ом)
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
LA4461N |
|
Усилитель низкой частоты 12W BTL (13.2V/4 Ом)
|
1
|
|
|
|