К10-17Б-56 ПФ
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 3296W-1-503LF | BOURNS | 1 602 | 97.42 | |||||
| 3296W-1-503LF |
|
|
||||||
| 3296W-1-503LF | BOURNS |
|
|
|||||
| 3296W-1-503LF | Bourns Inc |
|
|
|||||
| 3296W-1-503LF | BOURNS SENSORS |
|
|
|||||
| 3296W-1-503LF | 0.00 |
|
|
|||||
| 3296W-1-503LF | OLITECH |
|
|
|||||
| TS-04-070 (=TS-A3PS-130, SWT-6, DTS-63) КНОПКА ТАКТ., 6.0Х6.0, H = 7.0 | DONGNAN |
|
|
|||||
 |
КР1533ИР8 | ЗПП |
|
|
||||
|
|
КР1533ИР8 |
|
46.44 | |||||
|
|
КР1533ИР8 | ЗПП МИНСК |
|
|
||||
|
|
КР1533ИР8 | МИНСК |
|
|
||||
|
|
КР1533ИР8 | ИНТЕГРАЛ |
|
|
||||
|
|
КР1533ИР8 | RUS |
|
|
||||
 |
 |
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный | 640 | 12.25 | ||
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный | КРЕМНИЙ | 800 | 16.83 | |
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный | БРЯНСК | 3 740 | 16.00 | |
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный | МИНСК |
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный | ВОРОНЕЖ |
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный | ИНТЕГРАЛ |
|
|
|
| УМС7-04 |
|
|
