|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
AD706ARZ |
|
Сдвоенный пикоамперный операционный усилитель ( Bias=110pA max, 0.6 mV/град.C max, -40 ...
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
AD706ARZ |
|
Сдвоенный пикоамперный операционный усилитель ( Bias=110pA max, 0.6 mV/град.C max, -40 ...
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
AD706ARZ |
|
Сдвоенный пикоамперный операционный усилитель ( Bias=110pA max, 0.6 mV/град.C max, -40 ...
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
AD706ARZ |
|
Сдвоенный пикоамперный операционный усилитель ( Bias=110pA max, 0.6 mV/град.C max, -40 ...
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
AD706ARZ |
|
Сдвоенный пикоамперный операционный усилитель ( Bias=110pA max, 0.6 mV/град.C max, -40 ...
|
|
|
|
|
|
|
AD706ARZ |
|
Сдвоенный пикоамперный операционный усилитель ( Bias=110pA max, 0.6 mV/град.C max, -40 ...
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
AD706ARZ |
|
Сдвоенный пикоамперный операционный усилитель ( Bias=110pA max, 0.6 mV/град.C max, -40 ...
|
|
|
|
|
|
|
MPSA18 |
|
Транзистор NPN малошумящий (Uce=45V, Ic=200mA, P=625mW, Nf=0.5dB@1kHz, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
MPSA18 |
|
Транзистор NPN малошумящий (Uce=45V, Ic=200mA, P=625mW, Nf=0.5dB@1kHz, ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MPSA18 |
|
Транзистор NPN малошумящий (Uce=45V, Ic=200mA, P=625mW, Nf=0.5dB@1kHz, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MPSA18 |
|
Транзистор NPN малошумящий (Uce=45V, Ic=200mA, P=625mW, Nf=0.5dB@1kHz, ...
|
|
|
54.00
|
|
|
|
MPSA18 |
|
Транзистор NPN малошумящий (Uce=45V, Ic=200mA, P=625mW, Nf=0.5dB@1kHz, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
MPSA18 |
|
Транзистор NPN малошумящий (Uce=45V, Ic=200mA, P=625mW, Nf=0.5dB@1kHz, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
MPSA18 |
|
Транзистор NPN малошумящий (Uce=45V, Ic=200mA, P=625mW, Nf=0.5dB@1kHz, ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MPSA18 |
|
Транзистор NPN малошумящий (Uce=45V, Ic=200mA, P=625mW, Nf=0.5dB@1kHz, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MPSA18 |
|
Транзистор NPN малошумящий (Uce=45V, Ic=200mA, P=625mW, Nf=0.5dB@1kHz, ...
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
|
400
|
10.50
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
808
|
12.24
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
СВЕТЛАНА
|
|
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
РИГА
|
|
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
БРЯНСК
|
7 886
|
12.00
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ПРОХЛАДНЫЙ
|
|
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
КРЕМНИЙ ЭЛ
|
8
|
6.22
|
|
|
|
С1-4-0.0625-1 КОМ 5% |
|
|
|
|
|
|
|
|
С1-4-0.25Н-100 КОМ 5% |
|
|
|
|
|
|