2N4871
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Корпус (размер) | TO-92 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
2N4870 (Дискретные сигналы) PN UNIJUNCTION TRANSISTORS SILICON UNIJUNCTION TRANSISTORS Также в этом файле: 2N4871
Производитель:
|
Аналоги:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N4870 |
|
|
||||||
| 2N4870 | ИНТЕГРАЛ |
|
|
|||||
| 2N4870 | Microsemi Commercial Components Group |
|
|
|||||
| КТ133Б |
|
|
||||||
| КТ133Б |
|
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 301-021-12 |
|
|
||||||
| 301-021-12 | XINYA |
|
|
|||||
| 301-021-12 | NXU |
|
|
|||||
| 301-021-12 |
|
|
||||||
| 301-021-12 | XINLAIYA |
|
|
|||||
 |
 |
АЛ307ЕМ ЖЕЛТ. |
|
Светодиод желтый, круглый, 5мм, 1.5мКд, 2.5В | СТАРТ |
|
|
|
 |
|
КТ814В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный | 926 | 23.00 | ||
|
|
|
КТ814В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный | КРЕМНИЙ | 2 228 | 25.12 | |
|
|
|
КТ814В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный | МИНСК |
|
|
|
|
|
|
КТ814В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный | БРЯНСК | 61 512 | 33.60 | |
|
|
|
КТ814В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный | RUS |
|
|
|
|
|
|
КТ814В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный | ИНТЕГРАЛ |
|
|
|
|
|
|
КТ814В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный | САРАНСК |
|
|
|
| С2-33Н-0,125-8,2ОМ | 38 |
1.28 >100 шт. 0.64 |
||||||
| СП4-1А 0.5 А 2-12 20% 100К | РЕЗИСТОР |
|
|
|||||
| СП4-1А 0.5 А 2-12 20% 100К |
|
|
