|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SB688 |
|
Биполярный транзистор Si-P, 120V, 8A, 80W, 10MHz
|
|
|
33.88
|
|
|
|
2SB688 |
|
Биполярный транзистор Si-P, 120V, 8A, 80W, 10MHz
|
KEC
|
|
|
|
|
|
2SB688 |
|
Биполярный транзистор Si-P, 120V, 8A, 80W, 10MHz
|
INCHANGE SEMIC
|
|
|
|
|
|
2SB688 |
|
Биполярный транзистор Si-P, 120V, 8A, 80W, 10MHz
|
ISC
|
162
|
198.21
|
|
|
|
2SB688 |
|
Биполярный транзистор Si-P, 120V, 8A, 80W, 10MHz
|
ISCSEMI
|
|
|
|
|
|
2SC4467 |
|
Биполярный транзистор NPN , 120В, 8A, 80Вт, 20МГц (Comp. 2SA1694)
|
SANKEN
|
|
|
|
|
|
2SC4467 |
|
Биполярный транзистор NPN , 120В, 8A, 80Вт, 20МГц (Comp. 2SA1694)
|
SK
|
|
|
|
|
|
2SC4467 |
|
Биполярный транзистор NPN , 120В, 8A, 80Вт, 20МГц (Comp. 2SA1694)
|
|
1
|
295.20
|
|
|
|
2SC4467 |
|
Биполярный транзистор NPN , 120В, 8A, 80Вт, 20МГц (Comp. 2SA1694)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2SC4467 |
|
Биполярный транзистор NPN , 120В, 8A, 80Вт, 20МГц (Comp. 2SA1694)
|
ISCSEMI
|
|
|
|
|
|
2SD882 |
|
Биполярный транзистор NPN 40В, 3A, 10Вт, 90МГц
|
NEC
|
|
|
|
|
|
2SD882 |
|
Биполярный транзистор NPN 40В, 3A, 10Вт, 90МГц
|
DC COMPONENTS
|
15 076
|
11.87
|
|
|
|
2SD882 |
|
Биполярный транзистор NPN 40В, 3A, 10Вт, 90МГц
|
|
6 968
|
8.33
|
|
|
|
2SD882 |
|
Биполярный транзистор NPN 40В, 3A, 10Вт, 90МГц
|
MATSUSHITA
|
|
|
|
|
|
2SD882 |
|
Биполярный транзистор NPN 40В, 3A, 10Вт, 90МГц
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
2SD882 |
|
Биполярный транзистор NPN 40В, 3A, 10Вт, 90МГц
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
2SD882 |
|
Биполярный транзистор NPN 40В, 3A, 10Вт, 90МГц
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2SD882 |
|
Биполярный транзистор NPN 40В, 3A, 10Вт, 90МГц
|
RENESAS
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
FSC
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
|
320
|
28.78
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
FSC1
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
ON SEMI/FAIRCH
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
ONS
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
GT50J327 |
|
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
GT50J327 |
|
|
|
|
1 693.60
|
|
|
|
GT50J327 |
|
|
TOS
|
|
|
|
|
|
GT50J327 |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|