2SK3569
N-MOS 600V, 10A, 45W
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 750 mOhm @ 5A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 10A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 42nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1500pF @ 25V |
| Power - Max | 45W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220 (SIS) |
| Корпус | TO-220SIS |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
2SK3569 Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
 | КР590КН7 45.90 руб Купить |
 | MTS-203 Предельное напряжение 1000 Р’ AC Р Р† теч 1 Р СРёРЅ Предельный ток 6 Р С’ РїСЂРё 125 Р’ Р С’Р РЋ 3 Р С’ РїСЂРё 250 Р’ Р С’Р РЋ Сопротивление изоляции 1000 Р СљР С›Р С min 500 Р’ DР РЋ Сопротивлени... Купить |
 | IRF1010NS Hexfet power mosfets discrete n-channel Купить |
