| Структура | n-p-n |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 15 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В | 15 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А) | 0.03 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 50 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр,МГц | 900.00 |
| Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт) | 0.225 |
| Корпус | KT-1-12 |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
142ЕН2А |
|
|
|
296
|
325.08
|
|
|
|
|
142ЕН2А |
|
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
|
142ЕН2А |
|
|
ТОМИЛИНО
|
|
|
|
|
|
|
142ЕН2А |
|
|
КРЕМНИЙ
|
|
|
|
|
|
|
142ЕН2А |
|
|
ELNEC
|
|
|
|
|
|
|
142ЕН2А |
|
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
|
142ЕН2А |
|
|
1
|
|
|
|
 |
 |
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
|
2 473
|
56.70
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
ОРБИТА
|
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
БРЕСТ
|
1 526
|
63.00
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
ЦВЕТОТРОН
|
203
|
76.80
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
САРАНСК
|
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
|
2Т3117А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц
|
|
93
|
907.20
|
|
|
|
|
2Т3117А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
|
2Т3117А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
2Т3117А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
|
2Т3117А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц
|
ИНТЕГРАЛ
|
1 402
|
|
|
|
|
|
2Т3117А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц
|
АЛЬФА РИГА
|
|
|
|
|
|
|
2Т326А |
|
|
|
2 084
|
217.73
|
|
|
|
|
2Т326А |
|
|
АРСЕНАЛ
|
|
|
|
|
|
|
2Т326А |
|
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
12
|
126.00
|
|
|
|
|
2Т326А |
|
|
ЭЛЕКС
|
128
|
247.97
|
|
|
|
|
2Т326А |
|
|
РИГА
|
|
|
|
|
|
|
564КП1 |
|
Мультиплексор четырехканальный двойной, КМОП, 4.2 .... 15В, 10мкА
|
|
20
|
259.00
|
|
|
|
|
564КП1 |
|
Мультиплексор четырехканальный двойной, КМОП, 4.2 .... 15В, 10мкА
|
ИВАНОВО-ФРАНКОВСК
|
|
|
|
|
|
|
564КП1 |
|
Мультиплексор четырехканальный двойной, КМОП, 4.2 .... 15В, 10мкА
|
ВОСХОД
|
|
|
|
|
|
|
564КП1 |
|
Мультиплексор четырехканальный двойной, КМОП, 4.2 .... 15В, 10мкА
|
КАЛУГА
|
|
|
|
|
|
|
564КП1 |
|
Мультиплексор четырехканальный двойной, КМОП, 4.2 .... 15В, 10мкА
|
НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
|
564КП1 |
|
Мультиплексор четырехканальный двойной, КМОП, 4.2 .... 15В, 10мкА
|
РОДОН
|
26
|
302.40
|
|
|
|
|
564КП1 |
|
Мультиплексор четырехканальный двойной, КМОП, 4.2 .... 15В, 10мкА
|
-
|
|
|
|
|
|
|
564КП1 |
|
Мультиплексор четырехканальный двойной, КМОП, 4.2 .... 15В, 10мкА
|
МИКРОН
|
1
|
384.00
|
|
|
|
|
564КП1 |
|
Мультиплексор четырехканальный двойной, КМОП, 4.2 .... 15В, 10мкА
|
НОВОСИБИРСК
|
|
|
|
|
|
|
564КП1 |
|
Мультиплексор четырехканальный двойной, КМОП, 4.2 .... 15В, 10мкА
|
ЭКСПОРТ
|
|
|
|
Версия для печати
