|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
DC COMPONENTS
|
1 034
|
2.71
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
400
|
12.35
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
DIOTEC
|
4 169
|
3.35
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
KOREA ELECTRONICS CORPORATION
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
FSC
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
KEC AMERICA (USD)
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
|
17 652
|
1.26
>100 шт. 0.63
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
8
|
10.20
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
CJ
|
4
|
2.34
|
|
|
|
ATF-54143-BLKG |
|
РЧ транзисторы на арсениде галлия 2ГГц, RF FET, 16.6 dB,725мВт
|
AVAGO
|
|
|
|
|
|
ATF-54143-BLKG |
|
РЧ транзисторы на арсениде галлия 2ГГц, RF FET, 16.6 dB,725мВт
|
|
|
432.80
|
|
|
|
ATF-54143-BLKG |
|
РЧ транзисторы на арсениде галлия 2ГГц, RF FET, 16.6 dB,725мВт
|
AVAGO TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
ATF-54143-BLKG |
|
РЧ транзисторы на арсениде галлия 2ГГц, RF FET, 16.6 dB,725мВт
|
Avago Technologies US Inc
|
|
|
|
|
|
ATF-54143-BLKG |
|
РЧ транзисторы на арсениде галлия 2ГГц, RF FET, 16.6 dB,725мВт
|
BRO/AVAG
|
|
|
|
|
|
ATF-54143-BLKG |
|
РЧ транзисторы на арсениде галлия 2ГГц, RF FET, 16.6 dB,725мВт
|
BROADCOM
|
|
|
|
|
|
BF862.215 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BF862.215 |
|
|
|
|
|
|
|
|
BF998E6327 |
|
N-канальный полевой транзистор, Vds=12V , Ids=30mA ,Ptot=200mW ,ts=-65.+150
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BF998E6327 |
|
N-канальный полевой транзистор, Vds=12V , Ids=30mA ,Ptot=200mW ,ts=-65.+150
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BF998E6327 |
|
N-канальный полевой транзистор, Vds=12V , Ids=30mA ,Ptot=200mW ,ts=-65.+150
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
BF998E6327 |
|
N-канальный полевой транзистор, Vds=12V , Ids=30mA ,Ptot=200mW ,ts=-65.+150
|
|
|
|
|
|
|
J304 |
|
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
J304 |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
J304 |
|
|
|
|
|
|
|
|
J304 |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
J304 |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
J304 |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
J304 |
|
|
|
|
|
|