8ETH06
Диод 600V, 8A, 18nS (HyperFast)
|
Версия для печати
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 50µA @ 600V |
| Current - Average Rectified (Io) | 8A |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.4V @ 8A |
| Серия | FRED Pt™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Diode Type | Standard |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 25ns |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-2 Fused Center, TO-220AC |
| Корпус | TO-220AC |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1N4734A T/B |
|
Стабилитрон 1W 5,6V | DC COMPONENTS | 3 009 | 4.55 | |||
| 1N4734A T/B |
|
Стабилитрон 1W 5,6V |
|
|
||||
| 1N4747A20V | DC COMPONENTS |
|
|
|||||
| 1N4747A20V | 0.00 |
|
|
|||||
| 2SK1365 |
|
Транзистор N-MOS 1000В 7A TO3P-IS | TOSHIBA |
|
|
|||
| 2SK1365 |
|
Транзистор N-MOS 1000В 7A TO3P-IS | TOS |
|
|
|||
| 2SK1365 |
|
Транзистор N-MOS 1000В 7A TO3P-IS |
|
|
||||
 |
 |
SPW20N60C3 |
|
Полевой транзистор 20A, 600В, 190мОм | INFINEON | 144 | 275.52 | |
|
|
|
SPW20N60C3 |
|
Полевой транзистор 20A, 600В, 190мОм |
|
740.12 | ||
|
|
|
SPW20N60C3 |
|
Полевой транзистор 20A, 600В, 190мОм | Infineon Technologies |
|
|
|
|
|
|
SPW20N60C3 |
|
Полевой транзистор 20A, 600В, 190мОм | INFINEON TECH |
|
|
|
 |
|
STW26NM60 |
|
N-Ch 600V 26A 313W 0,125R | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|
|
|
|
STW26NM60 |
|
N-Ch 600V 26A 313W 0,125R | STMicroelectronics |
|
|
