ADR445BRZ
Прецизионный Источник опорного напряжения (Uоп=5V, 10ppm, Uin=5.5.18V, T=-40.+125C)
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | XFET® |
| Reference Type | Series, Precision |
| Напряжение выходное | 5V |
| Допустимые отклонения емкости | ±0.04% |
| Температурный коэфициент | 3ppm/°C |
| Напряжение входное | 5.5 V ~ 18 V |
| Количество каналов | 1 |
| Ток в рабочей точке(ВАХ) | 3.75mA |
| Ток выходной | 10mA |
| Рабочая температура | -40°C ~ 125°C |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SOIC |
| Tolerance | ±0.04% |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ADT7310TRZ | ANALOG DEVICES |
|
|
|||||
| ADT7310TRZ |
|
679.40 | ||||||
| ADT7310TRZ | Analog Devices Inc |
|
|
|||||
| ADT7310TRZ | ANALOG |
|
|
|||||
 |
BL03RN2R1M1B |
|
индуктивность для подавления ЭМП | MURATA |
|
|
||
|
|
BL03RN2R1M1B |
|
индуктивность для подавления ЭМП |
|
75.60 | |||
|
|
BL03RN2R1M1B |
|
индуктивность для подавления ЭМП | MURATA | 2 560 |
|
||
|
|
BL03RN2R1M1B |
|
индуктивность для подавления ЭМП | MUR |
|
|
||
|
|
BL03RN2R1M1B |
|
индуктивность для подавления ЭМП | Murata Electronics North America |
|
|
||
| CFA1-50B | BM |
|
|
|||||
| M41T00M6 | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| M41T00M6 | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
|||||
| SR2.8.TC | SEMTECH |
|
|
|||||
| SR2.8.TC | SEMTECH | 152 |
|
|||||
| SR2.8.TC | SMTC |
|
|
