BC847BPDW

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BC847BPDW		7.24

Версия для печати

Технические характеристики BC847BPDW

Корпус	SOT-363
Корпус (размер)	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Тип монтажа	Поверхностный
Frequency - Transition	100MHz
Power - Max	380mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	200 @ 2mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	600mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	45V
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Transistor Type	NPN, PNP
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BC847BPDW1T1 (Универсальные биполярные транзисторы)

Dual General Purpose Transistors

Также в этом файле: BC847BPDW1T1G

Производитель:
ON Semiconductor
//www.onsemi.com

BC847BPDW datasheet
169.89Kb
10стр.