| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 Ohm @ 100mA, 5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 130mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 30pF @ 5V |
| Power - Max | 225mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Product Change Notification | Possible Adhesion Issue 11/July/2008 |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
 |
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
7 200
|
2.24
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
|
|
4.00
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ONS
|
9 857
|
3.85
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
2 533
|
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
VBSEMI
|
5 173
|
1.86
|
|
 |
|
FDV301N |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (25V, 0.22A, 0.35W)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
FDV301N |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (25V, 0.22A, 0.35W)
|
|
11 600
|
4.03
|
|
|
|
|
FDV301N |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (25V, 0.22A, 0.35W)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
FDV301N |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (25V, 0.22A, 0.35W)
|
FAIRCHILD
|
4 897
|
|
|
|
|
|
FDV301N |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (25V, 0.22A, 0.35W)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
FDV301N |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (25V, 0.22A, 0.35W)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
FDV301N |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (25V, 0.22A, 0.35W)
|
ONS
|
4 400
|
7.04
|
|
|
|
|
FDV301N |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (25V, 0.22A, 0.35W)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
FDV301N |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (25V, 0.22A, 0.35W)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
388
|
|
|
|
|
|
FDV301N |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (25V, 0.22A, 0.35W)
|
VBSEMI
|
7 245
|
3.36
|
|
|
|
|
FDV301N |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (25V, 0.22A, 0.35W)
|
YOUTAI
|
26 919
|
2.60
|
|
|
|
|
FT232RL |
|
Микросхема двунаправленный преобраз. USB
|
FTDI
|
|
|
|
|
|
|
FT232RL |
|
Микросхема двунаправленный преобраз. USB
|
|
|
560.00
|
|
|
|
|
FT232RL |
|
Микросхема двунаправленный преобраз. USB
|
FUTURE TECH DEVICES INTER
|
|
|
|
|
|
|
FT232RL |
|
Микросхема двунаправленный преобраз. USB
|
FUTURE TECH DEVICES INTER LTD
|
|
|
|
|
|
|
FT232RL |
|
Микросхема двунаправленный преобраз. USB
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
FT232RL |
|
Микросхема двунаправленный преобраз. USB
|
FUTURE TECHNOLO
|
|
|
|
|
|
|
FT232RL |
|
Микросхема двунаправленный преобраз. USB
|
FUTURE TECHNOLOGY
|
|
|
|
|
|
|
FT232RL |
|
Микросхема двунаправленный преобраз. USB
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
488
|
|
|
|
|
|
КУ202Н1 |
|
Тиристор кремниевый планарно-диффузионный, структуры p-n-p-n,триодный, незапираемый
|
|
1
|
75.60
|
|
|
|
|
КУ202Н1 |
|
Тиристор кремниевый планарно-диффузионный, структуры p-n-p-n,триодный, незапираемый
|
ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
|
|
|
|
|
|
|
КУ202Н1 |
|
Тиристор кремниевый планарно-диффузионный, структуры p-n-p-n,триодный, незапираемый
|
П/П 2
|
|
|
|
|
|
|
КУ202Н1 |
|
Тиристор кремниевый планарно-диффузионный, структуры p-n-p-n,триодный, незапираемый
|
СТАРТ
|
|
|
|
|
|
|
КУ202Н1 |
|
Тиристор кремниевый планарно-диффузионный, структуры p-n-p-n,триодный, незапираемый
|
СЗТП
|
84
|
147.42
|
|
|
|
|
КУ202Н1 |
|
Тиристор кремниевый планарно-диффузионный, структуры p-n-p-n,триодный, незапираемый
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КУ202Н1 |
|
Тиристор кремниевый планарно-диффузионный, структуры p-n-p-n,триодный, незапираемый
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
|
КУ202Н1 |
|
Тиристор кремниевый планарно-диффузионный, структуры p-n-p-n,триодный, незапираемый
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
|
Э8030 0-250 В ~2.5 |
|
|
|
|
|
|
Версия для печати
