|
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7 mOhm @ 82A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 106A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 220nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 5310pF @ 25V |
Power - Max | 200W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-262-3 (Straight Leads) |
Корпус | TO-262 |
IRF3808L (Дискретные сигналы) HEXFETand#174; Power MOSFET Также в этом файле: IRF3808S
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
17900BK | Luxo | |||||||
47МКФ 450В (16Х30) 105°С | Электролитический алюминиевый конденсатор 47 мкФ 450В | CHANGZHOU HUA WEI ELECTRONICS | ||||||
47МКФ 450В (16Х30) 105°С | Электролитический алюминиевый конденсатор 47 мкФ 450В | 240.00 | ||||||
LM358DR2G | 2xOp-Amp 32V 0.+70°C | ON SEMICONDUCTOR | ||||||
LM358DR2G | 2xOp-Amp 32V 0.+70°C | ONS | 8 000 | 15.14 | ||||
LM358DR2G | 2xOp-Amp 32V 0.+70°C | ON SEMICONDUCTOR | ||||||
LM358DR2G | 2xOp-Amp 32V 0.+70°C | 4 320 | 10.66 | |||||
LM358DR2G | 2xOp-Amp 32V 0.+70°C | ONSEMICONDUCTOR | ||||||
LM358DR2G | 2xOp-Amp 32V 0.+70°C | 0.00 | ||||||
RT314024 | Реле 1-Form-C, SPDT, 1CO 24VDC/16A | TYCO | ||||||
RT314024 | Реле 1-Form-C, SPDT, 1CO 24VDC/16A | 430.48 | ||||||
RT314024 | Реле 1-Form-C, SPDT, 1CO 24VDC/16A | TYCO | ||||||
RT314024 | Реле 1-Form-C, SPDT, 1CO 24VDC/16A | TE Connectivity | ||||||
RT314024 | Реле 1-Form-C, SPDT, 1CO 24VDC/16A | TE | ||||||
V23148-A0007-A101 | TE Connectivity |
|