![]() |
|
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7 mOhm @ 82A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 106A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 220nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 5310pF @ 25V |
Power - Max | 200W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-262-3 (Straight Leads) |
Корпус | TO-262 |
IRF3808L (Дискретные сигналы) HEXFETand#174; Power MOSFET Также в этом файле: IRF3808S
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DB4 |
![]() |
Динистор 40V 2A | ST MICROELECTRONICS | 19 671 | 2.26 | ||
![]() |
DB4 |
![]() |
Динистор 40V 2A | 1 320 | 10.08 | |||
![]() |
DB4 |
![]() |
Динистор 40V 2A | STMicroelectronics |
![]() |
![]() |
||
![]() |
DB4 |
![]() |
Динистор 40V 2A | DIOTEC | 9 229 | 3.87 | ||
![]() |
DB4 |
![]() |
Динистор 40V 2A | 1 320 | 10.08 | |||
![]() |
DB4 |
![]() |
Динистор 40V 2A | YT |
![]() |
![]() |
||
![]() |
DB4 |
![]() |
Динистор 40V 2A | 1 |
![]() |
![]() |
||
GRM31C5C1E104J |
![]() |
Керамический конденсатор 0.1 мкФ 25 В | MURATA |
![]() |
![]() |
|||
GRM31C5C1E104J |
![]() |
Керамический конденсатор 0.1 мкФ 25 В |
![]() |
17.40 | ||||
GRM31C5C1E104J |
![]() |
Керамический конденсатор 0.1 мкФ 25 В | ЯПОНИЯ |
![]() |
![]() |
|||
![]() |
TZMC2V7 |
![]() |
Стабилитрон универсальный 0,5W 2,7V Minimelf (SOD-80) |
![]() |
2.16 | |||
![]() |
TZMC2V7 |
![]() |
Стабилитрон универсальный 0,5W 2,7V Minimelf (SOD-80) | КИТАЙ |
![]() |
![]() |
||
ЭПСН 220В 18ВТ С КЕРАМИЧЕСКИМ НАГРЕВАТЕЛЕМ |
![]() |
676.00 | ||||||
ЭПСН 220В 40ВТ С КЕРАМИЧЕСКИМ НАГРЕВАТЕЛЕМ |
![]() |
920.00 |
|
Корзина
|