|
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7 mOhm @ 82A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 106A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 220nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 5310pF @ 25V |
Power - Max | 200W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-262-3 (Straight Leads) |
Корпус | TO-262 |
IRF3808L (Дискретные сигналы) HEXFETand#174; Power MOSFET Также в этом файле: IRF3808S
Производитель:
|
|