IRF9630PBF
Транзистор полевой P-канальный MOSFET (200V, 6.5A, 74W, 0.8R)
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800 mOhm @ 3.9A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 6.5A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 29nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 700pF @ 25V |
| Power - Max | 74W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRF9630PBF (MOSFET) HEXFET® Power MOSFET
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1206-NP0-50-0.01МКФJ | HITANO |
|
|
|||||
| 1206-NP0-50-0.01МКФJ | MURATA |
|
|
|||||
| 1206-Y5V-0.22МКФ50В-20%+80% | SAMSUNG | 800 | 7.65 | |||||
 |
 |
VS-40TPS12PBF |
|
Тиристор SCR 1200В, 35A, Igt=150mA | VISHAY |
|
|
|
|
|
|
VS-40TPS12PBF |
|
Тиристор SCR 1200В, 35A, Igt=150mA | VISHAY/IR |
|
|
|
|
|
|
VS-40TPS12PBF |
|
Тиристор SCR 1200В, 35A, Igt=150mA |
|
|
||
 |
КТ850Б | КРЕМНИЙ | 400 | 79.05 | ||||
|
|
КТ850Б | 240 | 15.84 | |||||
|
|
КТ850Б | БРЯНСК |
|
|
||||
 |
КТ851Б |
|
43.20 | |||||
|
|
КТ851Б | КРЕМНИЙ | 80 | 102.00 | ||||
|
|
КТ851Б | БРЯНСК |
|
|
