IRFD9014PBF
МОП-Транзистор, Р-кан, Vси = -60В, Iс = -1.1A, 1.3Вт, Rоткр = 0.5 Ом, 1.3Вт
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500 mOhm @ 660mA, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 1.1A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 270pF @ 25V |
| Power - Max | 1.3W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Корпус | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRFD9014PBF (MOSFET) HEXFET® Power MOSFET
Производитель:
|
