IRFR430APBF


Транзистор полевой N-канальный (500V, 5.0A, 110W, 1.7R)

Купить IRFR430APBF ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IRFR430APBF
Версия для печати

Технические характеристики IRFR430APBF

FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.7 Ohm @ 3A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C5A
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs24nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds490pF @ 25V
Power - Max110W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
КорпусD-Pak
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFR430APBF (MOSFET)

HEXFET® Power MOSFET

Производитель:
Vishay

IRFR430APBF datasheet
251.1 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход