IXFN55N50
Транзистор IGBT модуль единичный N-Канальный 500V 55A 600W 0,080R SOT227B
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HiPerFET™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 500mA, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 55A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 8mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 330nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 9400pF @ 25V |
| Power - Max | 625W |
| Тип монтажа | Шасси |
| Корпус (размер) | SOT-227-4, miniBLOC |
| Корпус | SOT-227B |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IXFK55N50 HiPerFETTM Power MOSFET Single Die MOSFET Также в этом файле: IXFN55N50
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IR2010S | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
||||
|
|
IR2010S |
|
138.60 | |||||
|
|
IR2010S | INTERNATIONAL RECTIFIER | 5 |
|
||||
|
|
IR2010S | INFINEON |
|
|
||||
|
|
IR2010S | 4-7 НЕДЕЛЬ | 706 |
|
||||
 |
|
IR2110 |
|
PBF, H/L драйвер 500В, 2А, DIP14 | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IR2110 |
|
PBF, H/L драйвер 500В, 2А, DIP14 |
|
170.24 | ||
|
|
|
IR2110 |
|
PBF, H/L драйвер 500В, 2А, DIP14 | МЕКСИКА |
|
|
|
|
|
|
IR2110 |
|
PBF, H/L драйвер 500В, 2А, DIP14 | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
IR2110 |
|
PBF, H/L драйвер 500В, 2А, DIP14 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 649 |
|
|
|
|
LMV7239M5 | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
LMV7239M5 | NSC |
|
|
||||
|
|
LMV7239M5 |
|
97.24 | |||||
|
|
LMV7239M5 | NATIONAL SEMICONDUCTOR | 100 |
|
||||
|
|
LMV7239M5 | МАЛАЙЗИЯ |
|
|
||||
|
|
LMV7239M5 | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
||||
|
|
LMV7239M5 | TEXAS INSTRUMENTS | 28 |
|
||||
|
|
LMV7239M5 | TEXAS |
|
|
||||
|
|
LMV7239M5 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 152 |
|
