Версия для печати
Технические характеристики LA4108

Количество каналов	2
Выходная мощность, Вт	2x5.3
Напряжение питания, В	9...18
Тип корпуса	SDIP20
Напряжение на нагрузке, В	8
Сопротивление нагрузки, Ом	4
Вид напряжения питания	однополярное

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		GP10M			TAIWAN SEMICONDUCTOR
		GP10M			TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
		GP10M
		IRFIBF30G		Транзистор полевой	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFIBF30G		Транзистор полевой	VISHAY
		IRFIBF30G		Транзистор полевой	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFIBF30G		Транзистор полевой	Vishay/Siliconix
		IRFIBF30G		Транзистор полевой	IR/VISHAY
		IRFIBF30G		Транзистор полевой			424.00
		STP6NK90ZFP		N-channel 900v - 1.56? - 5.8a - to-220fp zener-protected supermesh™ power mosfet	ST MICROELECTRONICS	1 603	170.39
		STP6NK90ZFP		N-channel 900v - 1.56? - 5.8a - to-220fp zener-protected supermesh™ power mosfet		252	123.77
		STP6NK90ZFP		N-channel 900v - 1.56? - 5.8a - to-220fp zener-protected supermesh™ power mosfet	STMicroelectronics
		STP6NK90ZFP		N-channel 900v - 1.56? - 5.8a - to-220fp zener-protected supermesh™ power mosfet	КИТАЙ
		STP6NK90ZFP		N-channel 900v - 1.56? - 5.8a - to-220fp zener-protected supermesh™ power mosfet	ST MICROELECTRONICS SEMI
		STP6NK90ZFP		N-channel 900v - 1.56? - 5.8a - to-220fp zener-protected supermesh™ power mosfet	ST MICROELECTRO
		STP7NK80ZFP		Транзистор 800В, 5,2А, 125Вт, ТО-223, Rds On (Max) 1.8 Ohm	ST MICROELECTRONICS	1 340	97.65
		STP7NK80ZFP		Транзистор 800В, 5,2А, 125Вт, ТО-223, Rds On (Max) 1.8 Ohm	ST MICROELECTRONICS SEMI
		STP7NK80ZFP		Транзистор 800В, 5,2А, 125Вт, ТО-223, Rds On (Max) 1.8 Ohm	ST MICROELECTRO
		STP7NK80ZFP		Транзистор 800В, 5,2А, 125Вт, ТО-223, Rds On (Max) 1.8 Ohm		626	78.61
		TCET1103G			VISHAY	1 381	6.53
		TCET1103G			VISHAY
		TCET1103G
		TCET1103G			1

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"