|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
DC COMPONENTS
|
16 528
|
3.15
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
TAK CHEONG ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
WILLAS ELECTRONIC
|
|
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
NXP
|
|
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
|
8 243
|
1.94
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
|
|
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
MOTOROLA
|
8
|
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
NXP
|
56
|
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
TAK CHEONG ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
WILLAS ELECTRONIC CORP
|
|
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
MICROSEMI CORP
|
4
|
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
HOTTECH
|
496
|
3.94
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
KLS
|
1 347
|
2.44
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
VISHAY
|
712
|
7.87
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
0.00
|
|
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
YJ
|
11 869
|
3.63
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
1
|
|
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
SUNTAN
|
2 781
|
4.42
|
|
|
|
AP432VL-A |
|
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
AP432VL-A |
|
|
|
|
|
|
|
|
AP432VL-A |
|
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
AP432VL-A |
|
|
DIODES INC.
|
11 096
|
|
|
|
|
AP432VL-A |
|
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
AP432VL-A |
|
|
Diodes/Zetex
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
|
1 104
|
2.45
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
GALAXY
|
5 413
|
2.50
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP
|
3 888
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DI
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DIOTEC
|
29 752
|
3.23
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
INFINEON
|
102
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
HOTTECH
|
2 400
|
1.32
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SEMTECH
|
76
|
3.62
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
WUXI XUYANG
|
52
|
3.19
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SEMICRON
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
KOME
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
JSCJ
|
105 474
|
2.04
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
YJ
|
80 794
|
1.97
|
|
|
|
IRF9Z34 |
|
Hexfet® power mosfet
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF9Z34 |
|
Hexfet® power mosfet
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
40
|
117.30
|
|
|
|
IRF9Z34 |
|
Hexfet® power mosfet
|
|
|
|
|
|
|
IRF9Z34 |
|
Hexfet® power mosfet
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
КТ 3107 А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
RUS
|
|
|
|