|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
3314G-1-204 |
|
Резистор подстроечный однооборотный
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
3314G-1-204 |
|
Резистор подстроечный однооборотный
|
|
|
102.24
|
|
|
|
3314G-1-204 |
|
Резистор подстроечный однооборотный
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
3314G-1-204 |
|
Резистор подстроечный однооборотный
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
ATTINY2313A-PU |
|
Микроконтроллер 128 байт EEPROM, 2Кбайт flash, 128 х 8 бит SRAM, 20МГц
|
ATMEL
|
|
|
|
|
|
ATTINY2313A-PU |
|
Микроконтроллер 128 байт EEPROM, 2Кбайт flash, 128 х 8 бит SRAM, 20МГц
|
|
317
|
209.65
|
|
|
|
ATTINY2313A-PU |
|
Микроконтроллер 128 байт EEPROM, 2Кбайт flash, 128 х 8 бит SRAM, 20МГц
|
MICRO CHIP
|
4 712
|
221.50
|
|
|
|
LM7812 |
|
Линейный СН (1A, 12V, -40°C ~ 125°C, 14.5 ~ 27 V, 1 2,4A ) точность вых напр ±2%
|
UTC
|
|
|
|
|
|
LM7812 |
|
Линейный СН (1A, 12V, -40°C ~ 125°C, 14.5 ~ 27 V, 1 2,4A ) точность вых напр ±2%
|
|
|
41.60
|
|
|
|
LM7812 |
|
Линейный СН (1A, 12V, -40°C ~ 125°C, 14.5 ~ 27 V, 1 2,4A ) точность вых напр ±2%
|
CDIL
|
220
|
66.53
|
|
|
|
NE3210S01-T1B |
|
|
|
|
70.92
|
|
|
|
NE3210S01-T1B |
|
|
RENESAS
|
|
|
|
|
|
NE3210S01-T1B |
|
|
NEC ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
NE3210S01-T1B |
|
|
RENESAS
|
|
|
|
|
|
W78E516DDG |
|
|
NUVOTON
|
|
|
|
|
|
W78E516DDG |
|
|
Nuvoton Technology Corporation of America
|
|
|
|
|
|
W78E516DDG |
|
|
|
|
|
|