| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
BZV55C16 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, 16В, 24мА
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BZV55C16 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, 16В, 24мА
|
|
|
6.00
|
|
|
|
|
BZV55C16 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, 16В, 24мА
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
BZV55C16 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, 16В, 24мА
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
BZV55C16 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, 16В, 24мА
|
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
|
BZV55C16 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, 16В, 24мА
|
HOTTECH
|
27 584
|
1.07
|
|
|
|
|
DS-216 (DC-013A) |
|
|
DRAGON CITY
|
|
|
|
|
|
|
MBRS3200T3G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MBRS3200T3G |
|
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
MBRS3200T3G |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
MBRS3200T3G |
|
|
|
4
|
116.00
|
|
|
|
|
MBRS3200T3G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
1 760
|
|
|
|
|
|
MBRS3200T3G |
|
|
TOKMAS
|
5 500
|
6.01
|
|
|
|
|
MBRS3200T3G |
|
|
FUXIN
|
7 753
|
4.37
|
|
|
|
|
MBRS3200T3G |
|
|
ONSEMI
|
|
|
|
|
|
|
КП303Е |
|
Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...
|
|
4 077
|
25.76
|
|
|
|
|
КП303Е |
|
Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...
|
ФОТОН
|
13 188
|
31.50
|
|
|
|
|
КП303Е |
|
Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КП303Е |
|
Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...
|
АЛЕСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КП303Е |
|
Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
ЧИП ТАНТАЛ 16V 3.3UF 20% B |
|
Электролитический танталовый конденсатор 3.3 мкФ 16 В
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
ЧИП ТАНТАЛ 16V 3.3UF 20% B |
|
Электролитический танталовый конденсатор 3.3 мкФ 16 В
|
|
|
8.92
|
|
Версия для печати
