SQP 5W 22K 5%

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SJ512	Биполярный транзистор P-MOS 250V, 5A, 30W	TOSHIBA	8	234.60
2SJ512	Биполярный транзистор P-MOS 250V, 5A, 30W		1 164	93.28
2SJ512	Биполярный транзистор P-MOS 250V, 5A, 30W	TOS
2SJ512	Биполярный транзистор P-MOS 250V, 5A, 30W	КИТАЙ
3386F-100К	Резистор переменный подстроечный, непроволочный однооборотный	BOURNS
3386F-100К	Резистор переменный подстроечный, непроволочный однооборотный	CHINA
3386F-100К	Резистор переменный подстроечный, непроволочный однооборотный			32.92
3386F-100К	Резистор переменный подстроечный, непроволочный однооборотный	CHINA NATIONAL
LM386N	Усилитель низкой частоты 1.25Вт (6V/8 Ом)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM386N	Усилитель низкой частоты 1.25Вт (6V/8 Ом)	UTC
LM386N	Усилитель низкой частоты 1.25Вт (6V/8 Ом)		24	34.00
MUR1100ERLG	Ультрабыстрый диод 1000V 1A	ON SEMICONDUCTOR
MUR1100ERLG	Ультрабыстрый диод 1000V 1A	VISHAY
MUR1100ERLG	Ультрабыстрый диод 1000V 1A	ONS
MUR1100ERLG	Ультрабыстрый диод 1000V 1A		2	55.20
MUR1100ERLG	Ультрабыстрый диод 1000V 1A	ON SEMICONDUCTOR
MUR1100ERLG	Ультрабыстрый диод 1000V 1A	ONSEMICONDUCTOR
MUR1100ERLG	Ультрабыстрый диод 1000V 1A	ON SEMICONDUCTO
СП3-4БМ А 2-20 30% 1М		РЕЗИСТОР
СП3-4БМ А 2-20 30% 1М