Версия для печати
Технические характеристики АЛС314А

Материал	GaAsP/GaP
Цвет свечения	красный
Длина волны,нм	650
Минимальная сила света Iv мин.,мКд	0.2
при токе Iпр.,мА	5
Количество сегментов	7
Количество разрядов	1
Схема включения.	Общ.катод
Высота знака,мм	2.5
Максимальное прямое напряжение,В	2
Максимальное обратное напряжение,В	5
Максимальный прямой ток ,мА	64
Максимальный импульсный прямой ток ,мА	40
Рабочая температура,С	-60…70

КАТАЛОГ

 » 

ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

СВЕТОДИОДЫ

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	FAIR
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	ST MICROELECTRONICS
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	ON SEMICONDUCTOR
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	PHILIPS
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	UTC
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	NXP
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	FAIRCHILD	800	12.47
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	FAIRCHILD	332
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	NXP
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	PHILIPS
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	DC COMPONENTS	15 675	5.47
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	Fairchild Semiconductor
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	STMicroelectronics
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	MOTOROLA
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	КИТАЙ
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)			12.92
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	ONS-FAIR
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	ONS
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	1
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	CHIN
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	DC COMPONENTS	22 252	2.10
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	MCC
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)		21 200	1.26
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	TAIWAN SEMICONDUCTOR
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	GALAXY
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	DC COMPONENTS
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.	998
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	RECTRON	105
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	GEMBIRD
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	КИТАЙ	400	4.91
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	NINGBO
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	MIC
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	RECTIFIER
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	QUAN-HONG
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	GALAXY ME
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	KINGTRONICS
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	TSC
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	SUNTAN
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	KLS
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	WUXI XUYANG	1 050	2.60
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	HOTTECH	27 200	1.54
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	YANGJIE	12 000	1.76
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	1
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	NY	11 904	2.10
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	YJ	2 758	1.98
		LM285D-1.2R2G			ONS	231	91.11
		LM285D-1.2R2G			ON SEMICONDUCTOR
		LM285D-1.2R2G
		LM285D-1.2R2G			ON SEMICONDUCTOR
		ЖАЛО ПАЯЛЬНОЕ 5PK-S112-B60 PROSKIT			PROSKIT
		ЖАЛО ПАЯЛЬНОЕ 5PK-S112-B60 PROSKIT			ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		ЖАЛО ПАЯЛЬНОЕ 5PK-S112-B60 PROSKIT			ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		ЖАЛО ПАЯЛЬНОЕ 5PK-S112-B60 PROSKIT			PRO'SKIT
		К145АП2		Микросхема управления в корпусе ШР-16,15 В, ток не более 2 мА		4	25.90
		К145АП2		Микросхема управления в корпусе ШР-16,15 В, ток не более 2 мА	СВЕТЛАНА	444	21.00
		К145АП2		Микросхема управления в корпусе ШР-16,15 В, ток не более 2 мА	RUS

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"