К10-17 0.22МКФ X7R 50В

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
PHD3055E	Trenchmos (tm) standard level fet	PHILIPS
PHD3055E	Trenchmos (tm) standard level fet	PHILIPS
К10-17 0.47МКФ Y5V 50В
К10-17 0.68 МКФ X7R 50В
КТ814В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		1 118	21.88
КТ814В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ	532	35.70
КТ814В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	МИНСК
КТ814В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	БРЯНСК	61 616	30.00
КТ814В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	RUS
КТ814В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ
КТ814В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	САРАНСК
КТ815В	Транзистор кремниевый NPN усилительный 3МГц, 70В, 1,5А		598	32.40
КТ815В	Транзистор кремниевый NPN усилительный 3МГц, 70В, 1,5А	КРЕМНИЙ	1 014	39.70
КТ815В	Транзистор кремниевый NPN усилительный 3МГц, 70В, 1,5А	БРЯНСК	2 496	32.00
КТ815В	Транзистор кремниевый NPN усилительный 3МГц, 70В, 1,5А	МИНСК
КТ815В	Транзистор кремниевый NPN усилительный 3МГц, 70В, 1,5А	УЛЬЯНОВСК
КТ815В	Транзистор кремниевый NPN усилительный 3МГц, 70В, 1,5А	ИНТЕГРАЛ