| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
PWL-05 PITCH 3.96 MM |
|
|
|
2 940
|
4.98
|
|
|
|
|
ДМ-0,1-60 МКГН-5% |
|
|
|
3 764
|
3.52
|
|
 |
|
КД247Г |
|
|
|
730
|
9.80
|
|
|
|
|
КД247Г |
|
|
НПП ТЭЗ
|
|
|
|
|
|
|
КД247Г |
|
|
СЗТП
|
801
|
15.30
|
|
|
|
|
КД247Г |
|
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КД247Г |
|
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КД247Г |
|
|
ТОМИЛИНО
|
|
|
|
|
|
|
КД247Г |
|
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
|
КС407Б |
|
стекло
|
|
6 191
|
8.50
|
|
|
|
 |
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
КРЕМНИЙ
|
311
|
48.45
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
|
892
|
31.50
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
Версия для печати
