КВАРЦ 20 МГЦ HC49S

Кварцевый резонатор 20МГц, HC49S, 32 пФ

Резонансная частота,МГц 20.00
Точность настройки dF/Fх10-6 50
Температурный коэффициент, Ктх10-6 50
Нагрузочная емкость,пФ 32
Рабочая температура,С -20…70
Длина корпуса L.,мм 11.05
Диаметр(ширина)корпуса,D(W),мм 4.65

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Кварцевый резонатор 20МГц, HC49S, 32 пФ

КВАРЦ 20 МГЦ HC49S datasheet
212,11kB
1стр.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
L-34F3C	Единичный светодиод инфракрасный d=3мм, 940нм, 20мВт	KB
L-34F3C	Единичный светодиод инфракрасный d=3мм, 940нм, 20мВт	KINGBRIGHT	299	31.49
L-34F3C	Единичный светодиод инфракрасный d=3мм, 940нм, 20мВт			9.52
L-34F3C	Единичный светодиод инфракрасный d=3мм, 940нм, 20мВт	KGB	2 308	15.32
L-34F3C	Единичный светодиод инфракрасный d=3мм, 940нм, 20мВт	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
L-34F3C	Единичный светодиод инфракрасный d=3мм, 940нм, 20мВт	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
L-34F3C	Единичный светодиод инфракрасный d=3мм, 940нм, 20мВт	КИТАЙ
L-34F3C	Единичный светодиод инфракрасный d=3мм, 940нм, 20мВт	UNKNOWN
PIC16F630-I/P	1Kx14 Flash 12I/O, 20MHz, 8bit, 64b, 2-5.5В	MICRO CHIP
PIC16F630-I/P	1Kx14 Flash 12I/O, 20MHz, 8bit, 64b, 2-5.5В		576	140.80
PIC16F630-I/P	1Kx14 Flash 12I/O, 20MHz, 8bit, 64b, 2-5.5В	MICRO CHIP
PIC16F630-I/P	1Kx14 Flash 12I/O, 20MHz, 8bit, 64b, 2-5.5В	Microchip Technology
PIC16F630-I/P	1Kx14 Flash 12I/O, 20MHz, 8bit, 64b, 2-5.5В	ТАИЛАНД
КВАРЦ 12 МГЦ HC49S 30PPM (3.2Х11Х4.5ММ)	Кварцевый резонатор 12МГц, HC49S, 30PPM, (3.2Х11Х4.5ММ)
КВАРЦ 4 МГЦ HC49S 30PPM	Кварцевый резонатор 4МГц, HC49S, 10 пФ
КТ3107А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...		509	9.62
КТ3107А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...	КРЕМНИЙ	8	13.26
КТ3107А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...	СВЕТЛАНА
КТ3107А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...	МИНСК
КТ3107А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...	РИГА
КТ3107А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...	БРЯНСК	6 452	12.40
КТ3107А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...	RUS
КТ3107А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...	ИНТЕГРАЛ