|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
DC COMPONENTS
|
7 631
|
11.50
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
|
2 608
|
3.41
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
YJ
|
82 400
|
5.17
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
MIC
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
КИТАЙ
|
52
|
22.68
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
KLS
|
4 437
|
18.60
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
KOME
|
876
|
5.04
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
LGE
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
HOTTECH
|
136 168
|
3.89
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
YANGJIE
|
20 616
|
5 262.89
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
SEP
|
8
|
2.64
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
ASEMI
|
6
|
6.12
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
JSCJ
|
280
|
8.93
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
KUU
|
47 781
|
1.94
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
RUME
|
26 400
|
2 608.20
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
TRR
|
38 400
|
2 755.62
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
JSMICRO
|
59 472
|
3.55
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO
|
8
|
7.57
|
|
|
|
MGA-62563-BLKG |
|
|
AVAGO
|
|
|
|
|
|
MGA-62563-BLKG |
|
|
|
|
339.12
|
|
|
|
MGA-62563-BLKG |
|
|
Avago Technologies US Inc
|
|
|
|
|
|
MGA-62563-BLKG |
|
|
AVAGO TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
MGA-62563-BLKG |
|
|
BRO/AVAG
|
|
|
|
|
|
MGA-62563-BLKG |
|
|
BROADCOM
|
|
|
|
|
|
КД226Г |
|
|
|
344
|
17.30
|
|
|
|
КД226Г |
|
|
НПП ТЭЗ
|
|
|
|
|
|
КД226Г |
|
|
ТОМИЛИНО
|
|
|
|
|
|
КД226Г |
|
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
|
|
|
|
|
|
КД226Г |
|
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КД226Г |
|
|
СЗТП
|
80
|
18.90
|
|
|
|
КД226Г |
|
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
|
6 773
|
4.05
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
П/П 1
|
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
САРАНСК
|
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
СЗТП
|
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
|
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
ЦВЕТОТРОН
|
9 120
|
13.44
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
МП41А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный ...
|
|
162
|
30.24
|
|
|
|
МП41А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный ...
|
ПЛАНЕТА
|
|
|
|
|
|
МП41А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный ...
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
МП41А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный ...
|
МОСКВА
|
|
|
|