КТ315Б КРАСН.

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
К555ЛА3	4 логических элемента 2И-НЕ, время задержки 10 нс, 2 мВт/вентиль, 5В, 11.5 мА		1 211	45.90
К555ЛА3	4 логических элемента 2И-НЕ, время задержки 10 нс, 2 мВт/вентиль, 5В, 11.5 мА	МЕЗОН	568	82.66
К555ЛА3	4 логических элемента 2И-НЕ, время задержки 10 нс, 2 мВт/вентиль, 5В, 11.5 мА	МИКРОН
К555ЛА3	4 логических элемента 2И-НЕ, время задержки 10 нс, 2 мВт/вентиль, 5В, 11.5 мА	МИОН
К555ЛА3	4 логических элемента 2И-НЕ, время задержки 10 нс, 2 мВт/вентиль, 5В, 11.5 мА	RUS
КТ361А КРАСН.		ТОМСК
КТ361А КРАСН.
КТ361Б	Транзистор структуры PNP усилительный		54 636	7.20
КТ361Б	Транзистор структуры PNP усилительный	ТОМСК
КТ361Б	Транзистор структуры PNP усилительный	RUS
КТ361Б	Транзистор структуры PNP усилительный	ТРАНЗИСТОР	372	1.02
КТ361Б	Транзистор структуры PNP усилительный	НИИПП ТОМСК	960	7.87
КТ361Б КРАСН.	Транзистор структуры PNP усилительный	ТОМСК
КТ361Б КРАСН.	Транзистор структуры PNP усилительный	НАЛЬЧИК
КТ361Б КРАСН.	Транзистор структуры PNP усилительный
МЛТ - 0.25 ВТ 5.6 КОМ 5%			3 000	1.20