Версия для печати

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1Д507А		Диоды германиевые микросплавные 30В, 50мкА, 0.1мкс, 0.8пФ		152	4.20
		1Д507А		Диоды германиевые микросплавные 30В, 50мкА, 0.1мкс, 0.8пФ	АЛЕКСАНДРОВ	2 512	4.00
		1Д507А		Диоды германиевые микросплавные 30В, 50мкА, 0.1мкс, 0.8пФ	RUS
		1Д507А		Диоды германиевые микросплавные 30В, 50мкА, 0.1мкс, 0.8пФ	ЭЛЕКС	976	15.30
		К155ЛА3		четыре логических элемента 2И-НЕ, 201.14-1, 1 г		4 134	18.00
		К155ЛА3		четыре логических элемента 2И-НЕ, 201.14-1, 1 г	ДНЕПР
		К155ЛА3		четыре логических элемента 2И-НЕ, 201.14-1, 1 г	МИКРОН
		К155ЛА3		четыре логических элемента 2И-НЕ, 201.14-1, 1 г	МИНСК	296	24.00
		К155ЛА3		четыре логических элемента 2И-НЕ, 201.14-1, 1 г	ХЕРСОН
		К155ЛА3		четыре логических элемента 2И-НЕ, 201.14-1, 1 г	ИНТЕГРАЛ
		К155ЛА3		четыре логических элемента 2И-НЕ, 201.14-1, 1 г	RUS
		К155ЛА3		четыре логических элемента 2И-НЕ, 201.14-1, 1 г	АЗОН
		КР1157ЕН5А		5B. 100мА		40	17.60
		КР1157ЕН5А		5B. 100мА	КРЕМНИЙ	800	40.80
		КР1157ЕН5А		5B. 100мА	БРЯНСК
		КР1157ЕН5А		5B. 100мА	НАЛЬЧИК
		КР531ТМ2				3	28.80
		КР531ТМ2			НАЛЬЧИК
		КТ815Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный		425	31.50
		КТ815Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	КРЕМНИЙ	532	35.70
		КТ815Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	БРЯНСК	3 243	36.00
		КТ815Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	МИНСК
		КТ815Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ	6	40.34
		КТ815Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	RUS
		КТ815Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ТРАНЗИСТОР

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"