BD536


Купить BD536 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
BD536
Версия для печати

Технические характеристики BD536

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Transistor TypePNP
Current - Collector (Ic) (Max)8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic800mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max)100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce25 @ 2A, 2V
Power - Max50W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-220-3
КорпусTO-220AB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Аналоги:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
КТ818В Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...     602 73.50 
КТ818В Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...   КРЕМНИЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ818В Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...   БРЯНСК 510 30.00 
КТ818В Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...   УЛЬЯНОВСК 32 20.00 
КТ818В Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...   МИНСК Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ818В Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...   УРЛЗ 1 074 51.00 
КТ818В Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...   RUS Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход