Версия для печати
Технические характеристики SJ016M3300B5S-1335

Производитель	Yageo Corporation
Допуск емкости	±20%
Номинальное напряжение	16 В
Тангенс угла диэлектрических потерь	0.2
Эквивалентное последовательное сопротивление	15 мОм
Максимальный ток пульсаций	3.4 А
Шаг выводов	5 мм
Срок службы	5000 Ч
Особенности	no Lead Cut / Standard
Размер корпуса	ф 13x35
Рабочая температура	-40...105 °C
	Low impedance and High ripple
Емкость	3300 мкФ
Серия	SJ
Корпус (размер)	Radial
Тип монтажа	Выводной
Тип	Электролитический алюминиевый

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	FAI/QTC
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	FAIR
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	GENERAL SEMICONDUCTOR
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	INTERNATIONAL RECTIFIER
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	GENERAL INSTRUMENT
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	DIODES
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	WTE	8	13.64
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	FAIRCHILD
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	GALAXY
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	DIODES INC.	393
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	FAIRCHILD	348
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	GENERAL INSTRUMENT
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	GENERAL SEMICONDUCTOR	356
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	INTERNATIONAL RECTIFIER
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	Diodes Inc
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	Fairchild Semiconductor
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	Vishay/Semiconductors
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	КИТАЙ
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	FSC
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	ON SEMI/FAIRCH
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	ONSEMICONDUCTOR
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	ONS
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	ONS-FAIR
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)		8 400	3.83
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	HOTTECH	4 518	5.65
		ECAP 1000/16V 1016 105C		Электролитический алюминиевый конденсатор 1000мкФ, 16В, 105С
		ECAP 1000/16V 1016 105C		Электролитический алюминиевый конденсатор 1000мкФ, 16В, 105С	JAMICON
		ECAP 1000/16V 1016 105C		Электролитический алюминиевый конденсатор 1000мкФ, 16В, 105С	JAM
		ECAP 1000/16V 1016 105C		Электролитический алюминиевый конденсатор 1000мкФ, 16В, 105С	YAGEO
		ECAP 1000/16V 1016 105C		Электролитический алюминиевый конденсатор 1000мкФ, 16В, 105С	JB
		KBPC5012 50A 1200V (MB5012)				1 313	116.93
		SH016M1000A5S-1015		Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 16 В	YAGEO
		SY016M2200B5S-1325		Электролитический алюминиевый конденсатор 2200 мкФ 16 В	YAGEO
		SY016M2200B5S-1325		Электролитический алюминиевый конденсатор 2200 мкФ 16 В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		SY016M2200B5S-1325		Электролитический алюминиевый конденсатор 2200 мкФ 16 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"