ST7FLITE09Y0B6

Версия для печати

Технические характеристики ST7FLITE09Y0B6

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	ST7
Процессор	ST7
Размер ядра	8-Bit
Скорость	8MHz
Подключения	SPI
Периферия	LVD, POR, PWM, WDT
Число вводов/выводов	13
Размер программируемой памяти	1.5KB (1.5K x 8)
Тип программируемой памяти	FLASH
EEPROM Size	128 x 8
Размер памяти	128 x 8
Напряжение источника (Vcc/Vdd)	2.4 V ~ 5.5 V
Преобразователи данных	A/D 5x8b
Тип осцилятора	Internal
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Корпус (размер)	16-DIP (0.300", 7.62mm)

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
AP8263E6
AP8263E6
AP8263E6		CHIPOWN
AP8263E6		AIT
FQPF8N60C	MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220	FAIR
FQPF8N60C	MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220	FSC
FQPF8N60C	MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220			120.00
FQPF8N60C	MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220	FAIRCHILD
FQPF8N60C	MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220	FAIRCHILD
FQPF8N60C	MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220	Fairchild Semiconductor
FQPF8N60C	MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220	КОРЕЯ РЕСПУБЛИК
FQPF8N60C	MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220	FSC1
FQPF8N60C	MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220	ONS
FQPF8N60C	MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220	ONS-FAIR
KNP100JR-73-1R		Yageo	11 632	4.01
LTV817A	DIP4	LITE-ON
LTV817A	DIP4	LIT
LTV817A	DIP4		65	32.40
LTV817A	DIP4	КИТАЙ
LTV817A	DIP4	ТАИЛАНД
LTV817A	DIP4
ВП1-2 2А			936	30.46
ВП1-2 2А		РАДИОДЕТАЛЬ	1 399	28.48