Версия для печати
Технические характеристики STP16CP05M

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Ограничение по току	Да
Топология	16-Bit Shift Register
Число выходов	16
Internal Driver	Да
Тип	General Purpose
Частота	30MHz
Напряжение питания	3 V ~ 5.5 V
Напряжение выходное	20V
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Корпус	24-SOP
Рабочая температура	-40°C ~ 125°C

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Питание

 » 

Драйверы светодиодов

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		HEF4011BT		Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND GATE -40/+85 C	NXP
		HEF4011BT		Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND GATE -40/+85 C	PHILIPS
		HEF4011BT		Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND GATE -40/+85 C
		HEF4011BT		Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND GATE -40/+85 C	NXP	44
		HEF4011BT		Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND GATE -40/+85 C	PHILIPS	92
		HEF4011BT		Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND GATE -40/+85 C	PHILIPS SEMIC
		HEF4011BT		Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND GATE -40/+85 C
		HEF4011BT		Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND GATE -40/+85 C	NEX-NXP
		HEF4011BT		Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND GATE -40/+85 C	NXP/NEXPERIA
		MF-0.25-470 1%		Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический	CHINA
		MF-0.25-470 1%		Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический			1.68  >100 шт.   0.84
		PIC16F688-I/P			MICRO CHIP	5	206.66
		PIC16F688-I/P				3	336.00
		PIC16F688-I/P			MICRO CHIP	39
		PIC16F688-I/P			Microchip Technology
		PIC16F688-I/P			ТАИЛАНД
		PIC16F688-I/P			0.00
		КТ815Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...		1 289	29.40
		КТ815Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	КРЕМНИЙ	2 388	35.70
		КТ815Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	ТРАНЗИСТОР
		КТ815Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	БРЯНСК	9 576	38.00
		КТ815Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	МИНСК	3 684	34.00
		КТ815Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	ЗПП МИНСК
		КТ815Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
		КТ815Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	RUS
		КТ815Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	ИНТЕГРАЛ
		КТ825Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	КРЕМНИЙ	114	1 147.50
		КТ825Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А		12	805.00
		КТ825Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	БРЯНСК	147	1 250.00
		КТ825Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	СИТ
		КТ825Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	RUS

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"