КТ961

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SA1295	Транзистор биполярный PNP Hi-Fi, 230V, 17A, 200W, 35MHz			420.00
2SA1295	Транзистор биполярный PNP Hi-Fi, 230V, 17A, 200W, 35MHz	SANKEN
IRFPE50	N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=7.8A@T=25C, Id=4.9A@T=100C, Rds=1.2 R, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFPE50	N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=7.8A@T=25C, Id=4.9A@T=100C, Rds=1.2 R, ...	VISHAY
IRFPE50	N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=7.8A@T=25C, Id=4.9A@T=100C, Rds=1.2 R, ...		239	156.74
IRFPE50	N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=7.8A@T=25C, Id=4.9A@T=100C, Rds=1.2 R, ...	Vishay/Siliconix
IRFPE50	N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=7.8A@T=25C, Id=4.9A@T=100C, Rds=1.2 R, ...	КИТАЙ
IRG4PC40UD	Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=40A@t=25C, Ic=20A@t=100C, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	47	653.40
IRG4PC40UD	Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=40A@t=25C, Ic=20A@t=100C, ...			491.08
IRG4PC40UD	Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=40A@t=25C, Ic=20A@t=100C, ...	КИТАЙ
IRG4PC40UD	Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=40A@t=25C, Ic=20A@t=100C, ...	INFINEON
IRG4PC50F	Транзистор IGBT модуль единичный	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRG4PC50F	Транзистор IGBT модуль единичный		1	453.60
IRG4PC50F	Транзистор IGBT модуль единичный	ТАИЛАНД
IRG4PC50F	Транзистор IGBT модуль единичный	МЕКСИКА
IRG4PC50F	Транзистор IGBT модуль единичный	INFINEON
IRG4PC50F	Транзистор IGBT модуль единичный	1
IRG4PC50W	Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 55A, 200W (WARP 60-150kHz)	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRG4PC50W	Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 55A, 200W (WARP 60-150kHz)			380.84
IRG4PC50W	Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 55A, 200W (WARP 60-150kHz)	МЕКСИКА
IRG4PC50W	Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 55A, 200W (WARP 60-150kHz)	INFINEON