US1G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
US1G	69	8.80
US1G (GENERAL SEMICONDUCTOR.)	24	3-4 недели Цена по запросу
US1G (MICRO ELECTRONICS.)	2 109	3-4 недели Цена по запросу
US1G (MIC)	400	2.24
US1G (YJ)	172 147	1.97
US1G (LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.)	2 758	3-4 недели Цена по запросу
US1G (HOTTECH)	800	1.97
US1G (WUXI XUYANG)	22 318	5.45

Версия для печати

Технические характеристики US1G

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.3V @ 1A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	400V
Current - Average Rectified (Io)	1A
Current - Reverse Leakage @ Vr	5µA @ 400V
Diode Type	Standard
Скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)	50ns
Capacitance @ Vr, F	20pF @ 4V, 1MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	DO-214AC, SMA
Корпус	SMA

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

US1x

Surface Mount Ultra Fast Rectifiers

Также в этом файле: US1G

Производитель:
Weitron Technology
//www.weitron.com.tw

US1G datasheet
128.16Kb
3стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BYS10-45-E3/TR3		VISHAY
BYS10-45-E3/TR3		Vishay/General Semiconductor
BYS10-45-E3/TR3		VISHAY	32
BYS10-45-E3/TR3
DI104ST/R		PANJIT
DI104ST/R		PANJIT	9 749
IRFP350	N-канальный Полевой транзистор (Vds=400V, Id=16A@T=25C, Id=10A@T=100C, Rds=0.30 R, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFP350	N-канальный Полевой транзистор (Vds=400V, Id=16A@T=25C, Id=10A@T=100C, Rds=0.30 R, ...	VISHAY
IRFP350	N-канальный Полевой транзистор (Vds=400V, Id=16A@T=25C, Id=10A@T=100C, Rds=0.30 R, ...		24	1.70
IRFP350	N-канальный Полевой транзистор (Vds=400V, Id=16A@T=25C, Id=10A@T=100C, Rds=0.30 R, ...	Vishay/Siliconix
IRFP350	N-канальный Полевой транзистор (Vds=400V, Id=16A@T=25C, Id=10A@T=100C, Rds=0.30 R, ...	КИТАЙ
IRFP350	N-канальный Полевой транзистор (Vds=400V, Id=16A@T=25C, Id=10A@T=100C, Rds=0.30 R, ...	VISHAY/IR
ДВП4-1ВКОРИЧН.		ЗУБОВА ПОЛЯНА
РЭС90.000.40