|
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Серия | PowerTrench® |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Logic Level Gate |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5 mOhm @ 12.5A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 12.5A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 23nC @ 5V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1620pF @ 15V |
Power - Max | 1W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Корпус | 8-SOICN |
Product Change Notification | Cu Wirebond Change 12/Oct/2007 Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
FDS6680AS 30v N-channel Powertrench Syncfet Также в этом файле: FDS6680AS_NL
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
0805-3.01КF | FAITHFUL LINK | |||||||
IR2153D PBF | Самотактируемый полумостовой драйвер | INTERNATIONAL RECTIFIER | ||||||
SI4925BDY | Транзистор PMOSFET Dual 30в -7.1/-5.5A | SILICONIX | ||||||
SI4925BDY | Транзистор PMOSFET Dual 30в -7.1/-5.5A | SILICONIX | ||||||
SI4925BDY | Транзистор PMOSFET Dual 30в -7.1/-5.5A | |||||||
Д112-25-12 | 440.00 | |||||||
Д112-25-12 | СИЛ.ПРИБ.4 | |||||||
Д112-25-12 | ЗАПОРОЖЬЕ | |||||||
Д112-25-12 | ОПТРОН | |||||||
Д112-25-12 | ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ | |||||||
Д112-25-12 | HUAJING | 320 | 154.54 | |||||
Д112-25-12 | АСТРА ЭЛЕКТРО | 4 | 652.80 | |||||
ЧИП 0805 10.0K 1% | YAGEO |
|