Д403Б
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SC5609 | HITACHI |
|
|
|||||
| 2SC5609 | HIT |
|
|
|||||
| 2SC5609 | 5 | 91.20 | ||||||
 |
 |
IRG4PF50W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 900V, 28A, 200W (WARP 60-150kHz | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRG4PF50W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 900V, 28A, 200W (WARP 60-150kHz |
|
377.52 | ||
|
|
|
IRG4PF50W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 900V, 28A, 200W (WARP 60-150kHz | МЕКСИКА |
|
|
|
|
|
|
IRG4PF50W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 900V, 28A, 200W (WARP 60-150kHz | INFINEON |
|
|
|
 |
|
MJE13001 |
|
Транзистор структуры NPN, 600В, | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|
|
|
|
MJE13001 |
|
Транзистор структуры NPN, 600В, | ИНТЕГРАЛ |
|
|
|
|
|
|
MJE13001 |
|
Транзистор структуры NPN, 600В, |
|
16.80 | ||
|
|
|
MJE13001 |
|
Транзистор структуры NPN, 600В, | UTC |
|
|
|
|
|
|
MJE13001 |
|
Транзистор структуры NPN, 600В, | МИНСК |
|
|
|
|
|
|
MJE13001 |
|
Транзистор структуры NPN, 600В, | FAIR |
|
|
|
|
|
|
MJE13001 |
|
Транзистор структуры NPN, 600В, | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|
|
|
|
MJE13001 |
|
Транзистор структуры NPN, 600В, | FAIRCHILD |
|
|
|
|
|
|
MJE13001 |
|
Транзистор структуры NPN, 600В, | FSC |
|
|
|
|
|
|
MJE13001 |
|
Транзистор структуры NPN, 600В, | ONS |
|
|
|
| ДК-В1 | 12 | 71.40 | ||||||
| СП3-33-24-0,125-33 КОМ-20%-В Х2 |
|
|
