IR2184STRPBF
|
|
Версия для печати
| Корпус | 8-SOICN |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Рабочая температура | -40°C ~ 125°C |
| Напряжение питания | 10 V ~ 20 V |
| Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка) | 600V |
| Число выходов | 2 |
| Число конфигураций | 1 |
| Ток пиковое значение | 1.9A |
| Время задержки | 680ns |
| Тип входа | Non-Inverting |
| Конфигурация | Half Bridge |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
BTA26-600B |
|
Тиристор симметричный 600V, 25A, Igt=50mA | 534 | 103.31 | ||
|
|
|
BTA26-600B |
|
Тиристор симметричный 600V, 25A, Igt=50mA | ST MICROELECTRONICS | 4 366 | 130.00 | |
|
|
|
BTA26-600B |
|
Тиристор симметричный 600V, 25A, Igt=50mA | 1 |
|
|
|
|
|
|
BTA26-600B |
|
Тиристор симметричный 600V, 25A, Igt=50mA | KY | 516 | 48.66 | |
| IPD053N08N3 G | INFINEON |
|
|
|||||
| IPD053N08N3 G | Infineon Technologies |
|
|
|||||
| SH-1025 | PROSKIT | 11 | 1 062.53 | |||||
| SH-1025 |
|
|
||||||
| SH-1025 | PRO'SKIT |
|
|
|||||
| TPS54160DGQR | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| TPS54160DGQR | TEXAS INSTRUMENTS | 4 245 |
|
|||||
| TPS54160DGQR | TEXAS |
|
|
