XC2C128-7VQG100I
|
|
Версия для печати
| Корпус | 100-VQFP (14x14) |
| Корпус (размер) | 100-TQFP |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Число вводов/выводов | 80 |
| Число секций | 3000 |
| Число макроячеек | 128 |
| Число логичеких блоков/ элеметов | 8 |
| Voltage Supply - Internal | 1.7 V ~ 1.9 V |
| Задержка tpd(1) Макс. | 7.0ns |
| Тип программирования | In System Programmable |
| Серия | CoolRunner II |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ADP3335ARM-3.3-RL7 | ANALOG DEVICES |
|
|
|||||
| ADP3335ARM-3.3-RL7 |
|
533.76 | ||||||
| ADP3335ARM-3.3-RL7 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 207 |
|
|||||
| DS1302ZN+T | MAX |
|
|
|||||
| DS1302ZN+T |
|
|
||||||
| DS1302ZN+T | 4-7 НЕДЕЛЬ | 685 |
|
|||||
 |
 |
IS41LV16100B-50KLI |
|
Оперативная память DRAM, паралельная , 16Мбит, 50нс, 3 ... 3.6В |
|
1 536.00 | ||
|
|
|
IS41LV16100B-50KLI |
|
Оперативная память DRAM, паралельная , 16Мбит, 50нс, 3 ... 3.6В | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
|
|
|
|
|
|
IS41LV16100B-50KLI |
|
Оперативная память DRAM, паралельная , 16Мбит, 50нс, 3 ... 3.6В | INTEGRATED SILICON SOLUTION |
|
|
|
|
|
|
IS41LV16100B-50KLI |
|
Оперативная память DRAM, паралельная , 16Мбит, 50нс, 3 ... 3.6В | 4-7 НЕДЕЛЬ | 96 |
|
|
| MMUN2211LT1G |
|
Транзистор n-p-n 50V 100mA SOT23 | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||
| MMUN2211LT1G |
|
Транзистор n-p-n 50V 100mA SOT23 |
|
|
||||
| MMUN2211LT1G |
|
Транзистор n-p-n 50V 100mA SOT23 | ONS | 25 116 | 3.19 | |||
| MMUN2211LT1G |
|
Транзистор n-p-n 50V 100mA SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 8 454 |
|
|||
| MMUN2211LT1G |
|
Транзистор n-p-n 50V 100mA SOT23 | ON SEMICONDUCTO |
|
|
|||
| S1D13506F00A2 | EPSON |
|
|
|||||
| S1D13506F00A2 | EPSON |
|
|
