|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SB817 |
|
Транзистор S-P 160В, 12A, ISO21, PNP, 100Вт, 15МГц
|
SANYO
|
|
|
|
|
|
2SB817 |
|
Транзистор S-P 160В, 12A, ISO21, PNP, 100Вт, 15МГц
|
|
592
|
91.55
|
|
|
|
2SB817 |
|
Транзистор S-P 160В, 12A, ISO21, PNP, 100Вт, 15МГц
|
SAN
|
|
|
|
|
|
2SB817 |
|
Транзистор S-P 160В, 12A, ISO21, PNP, 100Вт, 15МГц
|
ISCSEMI
|
|
|
|
|
|
2SC5198+2SA1941 ПАРА |
|
Транзисторы биполярные 2SC5198+2SA1941 ПАРА
|
TOS
|
|
|
|
|
|
AO3407A |
|
|
Alpha & Omega Semiconductor Inc
|
|
|
|
|
|
AO3407A |
|
|
AOS
|
182
|
13.72
|
|
|
|
AO3407A |
|
|
|
7 680
|
2.44
|
|
|
|
AO3407A |
|
|
A&O
|
1 055
|
12.85
|
|
|
|
AO3407A |
|
|
ALPHA & OMEGA
|
|
|
|
|
|
AO3407A |
|
|
YOUTAI
|
20 423
|
2.17
|
|
|
|
AO3407A |
|
|
UMW
|
552
|
3.10
|
|
|
|
NCP1055ST100T3G |
|
Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223
|
ONS
|
8
|
28.40
|
|
|
|
NCP1055ST100T3G |
|
Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
NCP1055ST100T3G |
|
Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223
|
|
1
|
196.56
|
|
|
|
NCP1055ST100T3G |
|
Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
NCP1055ST100T3G |
|
Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
191
|
|
|
|
|
NCP1400ASN33T1G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
NCP1400ASN33T1G |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
NCP1400ASN33T1G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
NCP1400ASN33T1G |
|
|
|
|
|
|
|
|
NCP1400ASN33T1G |
|
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
NCP1400ASN33T1G |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
334
|
|
|