|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SB772 |
|
Транзистор PNP (Vce=-1.1V @ 150mA, 3A, Ic=-3A, P=1, Тип монт. выводной, VCEO,В 30V, Ic ...
|
NEC
|
|
|
|
|
|
2SB772 |
|
Транзистор PNP (Vce=-1.1V @ 150mA, 3A, Ic=-3A, P=1, Тип монт. выводной, VCEO,В 30V, Ic ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
2SB772 |
|
Транзистор PNP (Vce=-1.1V @ 150mA, 3A, Ic=-3A, P=1, Тип монт. выводной, VCEO,В 30V, Ic ...
|
UNISONIC TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
2SB772 |
|
Транзистор PNP (Vce=-1.1V @ 150mA, 3A, Ic=-3A, P=1, Тип монт. выводной, VCEO,В 30V, Ic ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2SB772 |
|
Транзистор PNP (Vce=-1.1V @ 150mA, 3A, Ic=-3A, P=1, Тип монт. выводной, VCEO,В 30V, Ic ...
|
|
1 760
|
9.01
|
|
|
|
2SB772 |
|
Транзистор PNP (Vce=-1.1V @ 150mA, 3A, Ic=-3A, P=1, Тип монт. выводной, VCEO,В 30V, Ic ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
2SB772 |
|
Транзистор PNP (Vce=-1.1V @ 150mA, 3A, Ic=-3A, P=1, Тип монт. выводной, VCEO,В 30V, Ic ...
|
UNISONIC TECHNOLOGIES CO, LTD
|
|
|
|
|
|
2SB772 |
|
Транзистор PNP (Vce=-1.1V @ 150mA, 3A, Ic=-3A, P=1, Тип монт. выводной, VCEO,В 30V, Ic ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
2SB772 |
|
Транзистор PNP (Vce=-1.1V @ 150mA, 3A, Ic=-3A, P=1, Тип монт. выводной, VCEO,В 30V, Ic ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2SB772 |
|
Транзистор PNP (Vce=-1.1V @ 150mA, 3A, Ic=-3A, P=1, Тип монт. выводной, VCEO,В 30V, Ic ...
|
ISC
|
|
|
|
|
|
2SB772 |
|
Транзистор PNP (Vce=-1.1V @ 150mA, 3A, Ic=-3A, P=1, Тип монт. выводной, VCEO,В 30V, Ic ...
|
UNISONIC
|
|
|
|
|
|
2SB772 |
|
Транзистор PNP (Vce=-1.1V @ 150mA, 3A, Ic=-3A, P=1, Тип монт. выводной, VCEO,В 30V, Ic ...
|
ISCSEMI
|
|
|
|
|
|
2SB772 |
|
Транзистор PNP (Vce=-1.1V @ 150mA, 3A, Ic=-3A, P=1, Тип монт. выводной, VCEO,В 30V, Ic ...
|
MSKSEMI
|
3 984
|
5.23
|
|
|
|
MC34161P |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MC34161P |
|
|
|
|
166.80
|
|
|
|
SF26 |
|
Ультрабыстрый диод 400V 2A
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
SF26 |
|
Ультрабыстрый диод 400V 2A
|
|
12 000
|
1.72
|
|
|
|
SF26 |
|
Ультрабыстрый диод 400V 2A
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
SF26 |
|
Ультрабыстрый диод 400V 2A
|
КИТАЙ
|
266
|
15.30
|
|
|
|
SF26 |
|
Ультрабыстрый диод 400V 2A
|
YJ
|
1 520
|
4.92
|
|
|
|
SF26 |
|
Ультрабыстрый диод 400V 2A
|
MIC
|
29 598
|
2.44
|
|
|
|
SF26 |
|
Ультрабыстрый диод 400V 2A
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
SF26 |
|
Ультрабыстрый диод 400V 2A
|
YANGJIE
|
4 400
|
4.01
|
|
|
|
SF26 |
|
Ультрабыстрый диод 400V 2A
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
TCA0372DP1G |
|
ИМС
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
TCA0372DP1G |
|
ИМС
|
|
|
109.20
|
|
|
|
TCA0372DP1G |
|
ИМС
|
ONS
|
|
|
|
|
|
TCA0372DP1G |
|
ИМС
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
TCA0372DP1G |
|
ИМС
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
TCA0372DP1G |
|
ИМС
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
TPS3824-50DBVR |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
TPS3824-50DBVR |
|
|
|
|
|
|
|
|
TPS3824-50DBVR |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
TPS3824-50DBVR |
|
|
TEXAS
|
|
|
|