| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц
|
|
|
4.20
|
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц
|
KEMET
|
|
|
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц
|
NXP
|
626
|
|
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц
|
PHILIPS
|
18 448
|
|
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц
|
JSCJ
|
395 655
|
1.38
|
|
|
|
|
CD74HC4052M96 |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
CD74HC4052M96 |
|
|
|
|
40.00
|
|
|
|
|
CD74HC4052M96 |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
CD74HC4052M96 |
|
|
TEXAS
|
7 234
|
28.39
|
|
|
|
|
LM833DT |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
855
|
36.08
|
|
|
|
|
LM833DT |
|
|
|
|
48.00
|
|
|
|
|
LM833DT |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
LM833DT |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
MCP6022-I/SN |
|
Операционнный усилитель 2xOp-Amp RtoR, 10MHz, 7,0V/us
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
|
MCP6022-I/SN |
|
Операционнный усилитель 2xOp-Amp RtoR, 10MHz, 7,0V/us
|
|
|
268.00
|
|
|
|
|
MCP6022-I/SN |
|
Операционнный усилитель 2xOp-Amp RtoR, 10MHz, 7,0V/us
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
|
MCP6022-I/SN |
|
Операционнный усилитель 2xOp-Amp RtoR, 10MHz, 7,0V/us
|
MICRO CHIP
|
32
|
|
|
|
|
|
SDR0805-101KL |
|
Индуктивность 100мкГн SMD 7,8x5,3mm
|
BOURNS
|
6 078
|
36.37
|
|
|
|
|
SDR0805-101KL |
|
Индуктивность 100мкГн SMD 7,8x5,3mm
|
|
|
74.00
|
|
|
|
|
SDR0805-101KL |
|
Индуктивность 100мкГн SMD 7,8x5,3mm
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
|
SDR0805-101KL |
|
Индуктивность 100мкГн SMD 7,8x5,3mm
|
BOURNS
|
551
|
|
|
|
|
|
SDR0805-101KL |
|
Индуктивность 100мкГн SMD 7,8x5,3mm
|
ВОURNS
|
|
|
|
Версия для печати
