| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
IRLR3915TR |
|
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRLR3915TR |
|
|
INFINEON
|
|
|
|
 |
|
MMBT4401LT1G |
|
(SMD) SOT23
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MMBT4401LT1G |
|
(SMD) SOT23
|
|
|
24.00
|
|
|
|
|
MMBT4401LT1G |
|
(SMD) SOT23
|
ONS
|
15 874
|
3.56
|
|
|
|
|
MMBT4401LT1G |
|
(SMD) SOT23
|
ON SEMICONDUCTOR
|
130
|
|
|
|
|
|
MMBT4401LT1G |
|
(SMD) SOT23
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
|
MMBT4401LT1G |
|
(SMD) SOT23
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
MMBT4401LT1G |
|
(SMD) SOT23
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
PLA10AS4330R3R2B |
|
Сетевой фильтр дроссель подавления ЭМП
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
|
PLA10AS4330R3R2B |
|
Сетевой фильтр дроссель подавления ЭМП
|
|
|
69.64
|
|
|
|
|
PLA10AS4330R3R2B |
|
Сетевой фильтр дроссель подавления ЭМП
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
|
PLA10AS4330R3R2B |
|
Сетевой фильтр дроссель подавления ЭМП
|
MUR
|
|
|
|
|
|
|
PLA10AS4330R3R2B |
|
Сетевой фильтр дроссель подавления ЭМП
|
TOKYO PARTS
|
|
|
|
|
|
|
PLA10AS4330R3R2B |
|
Сетевой фильтр дроссель подавления ЭМП
|
TP-MUR
|
|
|
|
|
|
|
PLA10AS4330R3R2B |
|
Сетевой фильтр дроссель подавления ЭМП
|
0.00
|
|
|
|
|
|
 |
STP10NK60ZFP |
|
Полупроводниковый компонент TO220ISO
|
ST MICROELECTRONICS
|
835
|
59.75
|
|
|
|
|
STP10NK60ZFP |
|
Полупроводниковый компонент TO220ISO
|
|
211
|
35.41
|
|
|
|
|
STP10NK60ZFP |
|
Полупроводниковый компонент TO220ISO
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
STP10NK60ZFP |
|
Полупроводниковый компонент TO220ISO
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STP10NK60ZFP |
|
Полупроводниковый компонент TO220ISO
|
|
211
|
35.41
|
|
|
|
|
STP10NK60ZFP |
|
Полупроводниковый компонент TO220ISO
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
STP10NK60ZFP |
|
Полупроводниковый компонент TO220ISO
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
STP6NK60ZFP |
|
MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
916
|
66.79
|
|
|
|
|
STP6NK60ZFP |
|
MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...
|
|
1 220
|
41.95
|
|
|
|
|
STP6NK60ZFP |
|
MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STP6NK60ZFP |
|
MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
STP6NK60ZFP |
|
MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
STP6NK60ZFP |
|
MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
STP6NK60ZFP |
|
MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
Версия для печати
