|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
IRF7809AV |
|
Транзистор полевой SMD N-канальный 30В 13.3А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF7809AV |
|
Транзистор полевой SMD N-канальный 30В 13.3А
|
|
|
80.28
|
|
|
|
IRF7809AV |
|
Транзистор полевой SMD N-канальный 30В 13.3А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF7809AV |
|
Транзистор полевой SMD N-канальный 30В 13.3А
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLML2502TR |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML2502TR |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)
|
|
7
|
37.20
|
|
|
|
IRLML2502TR |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML2502TR |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLML2502TR |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
IRLML2502TR |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)
|
VBSEMI
|
|
|
|
|
|
IRLML2502TR |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)
|
OLITECH
|
6
|
9.63
|
|
|
|
IRLML2502TR |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)
|
1
|
|
|
|
|
|
IRLML2502TR |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)
|
JSMICRO
|
571
|
4.23
|
|
|
|
MCDR1511NP-152K |
|
|
SUMIDA
|
|
|
|
|
|
MCDR1511NP-152K |
|
|
|
|
|
|
|
|
MCP100-315DI/TO |
|
Супервизор Utrip=3,075V -40/+85°C 3pin
|
MICRO CHIP
|
2
|
31.49
|
|
|
|
MCP100-315DI/TO |
|
Супервизор Utrip=3,075V -40/+85°C 3pin
|
|
240
|
51.88
|
|
|
|
MCP100-315DI/TO |
|
Супервизор Utrip=3,075V -40/+85°C 3pin
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
MCP100-315DI/TO |
|
Супервизор Utrip=3,075V -40/+85°C 3pin
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
RLB0914-102KL |
|
Катушка индуктивности на ферритовом сердечнике экранированная 1мГн, 300мА, 10%, 2.1Ом
|
BOURNS
|
14 144
|
44.28
|
|
|
|
RLB0914-102KL |
|
Катушка индуктивности на ферритовом сердечнике экранированная 1мГн, 300мА, 10%, 2.1Ом
|
|
|
57.60
|
|