BCR133
Транзистор биполярный цифровой NPN Dig. 50V 0,1A 0,2W
|
|
Версия для печати
| Корпус | PG-SOT23-3 |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Power - Max | 200mW |
| Frequency - Transition | 130MHz |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
| Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 10K |
| Resistor - Base (R1) (Ohms) | 10K |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
BCR133S PNP Silicon Digital Transistor Array (Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit)
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
SPW20N60C3 |
|
Полевой транзистор 20A, 600В, 190мОм | INFINEON | 160 | 255.84 | |
|
|
|
SPW20N60C3 |
|
Полевой транзистор 20A, 600В, 190мОм |
|
740.12 | ||
|
|
|
SPW20N60C3 |
|
Полевой транзистор 20A, 600В, 190мОм | Infineon Technologies |
|
|
|
|
|
|
SPW20N60C3 |
|
Полевой транзистор 20A, 600В, 190мОм | INFINEON TECH |
|
|
|
| W49180 |
|
Светодиод мощности 4Вт белый 105Лм 93° с | SEOUL SEMICONDUCTOR |
|
|
|||
| W49180 |
|
Светодиод мощности 4Вт белый 105Лм 93° с |
|
|
