|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
4 255
|
1.68
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DC COMPONENTS
|
18 540
|
2.18
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIOTEC
|
324
|
1.55
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
185
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
|
15 008
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
1 100
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIODES INCORPORATED
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY ME
|
3 807
|
1.38
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
HOTTECH
|
485 609
|
1.86
>100 шт. 0.93
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YJ
|
718 281
|
1.32
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
CJ
|
2 644
|
1.54
>100 шт. 0.77
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JSCJ
|
97 640
|
1.80
>100 шт. 0.90
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE
|
7 200
|
1.05
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JINGDAO
|
166 895
|
1.46
>100 шт. 0.73
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
TWGMC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
MDD
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
|
77 600
|
1.86
>100 шт. 0.93
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
DC COMPONENTS
|
9 537
|
1.69
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
NXP
|
1 458
|
1.68
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
DIOTEC
|
32 879
|
3.28
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
NXP
|
6 511
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
DIODES INCORPORATED
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
HOTTECH
|
242 760
|
1.05
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
YJ
|
180 499
|
1.43
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
OLITECH
|
527
|
1.15
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
ZH
|
52 800
|
1.46
>100 шт. 0.73
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
ASEMI
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
TRR
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
YIXING
|
93 600
|
1.46
>100 шт. 0.73
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
SUNTAN
|
32 376
|
1.10
|
|
|
|
DF10M |
|
Диодный мост DIP 1A 1000V
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
DF10M |
|
Диодный мост DIP 1A 1000V
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
DF10M |
|
Диодный мост DIP 1A 1000V
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
DF10M |
|
Диодный мост DIP 1A 1000V
|
DIODES
|
932
|
34.41
|
|
|
|
DF10M |
|
Диодный мост DIP 1A 1000V
|
DIODES INC.
|
|
|
|
|
|
DF10M |
|
Диодный мост DIP 1A 1000V
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
DF10M |
|
Диодный мост DIP 1A 1000V
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
DF10M |
|
Диодный мост DIP 1A 1000V
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
DF10M |
|
Диодный мост DIP 1A 1000V
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
DF10M |
|
Диодный мост DIP 1A 1000V
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
DF10M |
|
Диодный мост DIP 1A 1000V
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
DF10M |
|
Диодный мост DIP 1A 1000V
|
MCC
|
|
|
|
|
|
DF10M |
|
Диодный мост DIP 1A 1000V
|
YJ
|
|
|
|
|
|
DF10M |
|
Диодный мост DIP 1A 1000V
|
FSC
|
|
|
|
|
|
DF10M |
|
Диодный мост DIP 1A 1000V
|
ONS
|
|
|
|
|
|
DF10M |
|
Диодный мост DIP 1A 1000V
|
|
|
34.80
|
|
|
|
DF10M |
|
Диодный мост DIP 1A 1000V
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
DF10M |
|
Диодный мост DIP 1A 1000V
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
FH-101C ДЕРЖАТЕЛЬ ПОД ПРЕДОХРАНИТЕЛЬ 5.2Х20ММ (С КРЫШКОЙ) |
|
|
22F5
|
|
|
|
|
|
FH-101C ДЕРЖАТЕЛЬ ПОД ПРЕДОХРАНИТЕЛЬ 5.2Х20ММ (С КРЫШКОЙ) |
|
|
|
196
|
18.90
|
|
|
|
TRIL-5VDC-SD-1CH-R |
|
реле 5V / 10А, 250VAC
|
TS
|
|
|
|
|
|
TRIL-5VDC-SD-1CH-R |
|
реле 5V / 10А, 250VAC
|
TTI
|
|
|
|
|
|
TRIL-5VDC-SD-1CH-R |
|
реле 5V / 10А, 250VAC
|
|
|
|
|
|
|
TRIL-5VDC-SD-1CH-R |
|
реле 5V / 10А, 250VAC
|
TAI SHING
|
|
|
|
|
|
TRIL-5VDC-SD-1CH-R |
|
реле 5V / 10А, 250VAC
|
TAI SHING (TTI)
|
|
|
|
|
|
TRIL-5VDC-SD-1CH-R |
|
реле 5V / 10А, 250VAC
|
TAISHING
|
|
|
|