BSP452
DC интеллектуальный ключ ; Тип: верхний ключ; Вход: прямой; Выходов: 1; Rвкл: 0.16 Ом; Iном: 700 мА; Iмакс: 1.5 А
|
Структура инт. ключ |
Версия для печати
| Корпус | PG-SOT223-4 |
| Корпус (размер) | TO-261-4, TO-261AA |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Рабочая температура | -40°C ~ 150°C |
| Напряжение питания | 5 V ~ 34 V |
| Ток - выходной (пиковое значение) | 1.5A |
| Ток выходной / канал | 700mA |
| Сопротивление (On-State) | 160 mOhm |
| Число выходов | 1 |
| Тип входа | Non-Inverting |
| Тип | High Side |
| Серия | miniPROFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
BSP452 SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated dV / d t rated)
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
KNP100JR-73-0R91 |
|
Yageo |
|
|
||
| LABEL-OFF, 200 МЛ. |
|
1 040.00 | ||||||
|
|
MAX4544EUT | MAXIM |
|
|
||||
|
|
MAX4544EUT |
|
111.00 | |||||
|
|
MAX4544EUT | MAX |
|
|
||||
|
|
MAX4544EUT | 4-7 НЕДЕЛЬ | 371 |
|
||||
| PLASTIC, 400 МЛ. |
|
|
||||||
 |
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | 4 | 340.00 | ||
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | STMicroelectronics |
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | ST MICROELECTRO |
|
|
