Версия для печати
Технические характеристики MD1803DFX

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	NPN
Current - Collector (Ic) (Max)	10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	700V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	2V @ 1.25A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max)	200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	5.5 @ 5A, 5V
Power - Max	57W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	ISOWATT218FX
Корпус	ISOWATT-218FX

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SD2539		Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 7A, 50W	TOSHIBA	266	234.60
		2SD2539		Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 7A, 50W		1	223.20
		2SD2539		Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 7A, 50W	TOS
		2SD2539		Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 7A, 50W	КИТАЙ
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	DIODES
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	MCC
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления		27 988	1.28
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	WTE
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	GALAXY
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	MIC	8 998	2.16
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	КИТАЙ
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	TAIWAN SEMICONDUCTOR
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	GALAXY ME
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	KINGTRONICS
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	SUNTAN	9 360	2.75
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	KLS
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	WUXI XUYANG
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	HOTTECH
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	YANGJIE
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	YANGJIE (YJ)
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	YJ	120	2.95
		MD1802FX		NPN hi-res, 1500V, 10A, 57W, Tf<300nS	ST MICROELECTRONICS	241	101.33
		MD1802FX		NPN hi-res, 1500V, 10A, 57W, Tf<300nS
		MD1802FX		NPN hi-res, 1500V, 10A, 57W, Tf<300nS	STMicroelectronics
		MD1802FX		NPN hi-res, 1500V, 10A, 57W, Tf<300nS
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц		10 356	39.38
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ТРАНЗИСТОР
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	МИНСК	15 223	44.00
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ТРАНЗИСТОР МИНСК
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ЗПП МИНСК
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ИНТЕГРАЛ	2 160	108.24
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ИНТЕГРАЛ-С
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	RUS
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	РОССИЯ
		КТ972А9		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
		КТ972А9		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
		КТ972А9		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	МИНСК	3 464	76.00
		КТ972А9		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ИНТЕГРАЛ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"